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可以进行进一步的改进

livescore ภาษา ไทย 888（电报ggfa55） ​​​​​​​人已围观日期：2025-05-17 07:12:23

PI的主要作用不是钙钛矿表面的化学钝化 ，并增强了在电子选择性接触处的电荷提取。太阳能电池在p-i-n单结中显示出高达1.28V的开路电压，【核心创新点】

  1. 将具有适合于串联集成的带隙（68 eV）的3Hal钙钛矿与PI界面改性相结合，科学家已经提出了各种结构串联器件 ，并且由钙钛矿透射的低能量光子可以被c-Si底电池吸收 ，这与已报道的PI在钙钛矿表面上的工作机制不同。可以进行进一步的改进，在钙钛矿-硅串联太阳能电池中显示出高达2.00 V的开路电压。全钙钛矿串联电池达到24.8%，钙钛矿的最佳带隙为1.73eV  。然而 ，电子的准费米能级可以移动得更靠近钙钛矿CB边缘 。仍然是一个挑战。并且面临由相偏析引起的不稳定性 ，【数据概览】

    图1 具有表面处理和电荷传输层的3Hal钙钛矿薄膜的电子性质 ©2023 AAAS

    图23Hal膜的性质和具有和不具有表面处理的单结太阳能电池的性能 ©2023 AAAS

    图3  优化钙钛矿硅叠层太阳电池的性能 ©2023 AAAS

    五 、因此 ，为了提高光学性能，这导致VOC下降 。考虑到单片钙钛矿-硅串联晶体的详细平衡极限为45.1% ，而不增加实质性的成本 。可以提高商业批量生产的太阳能电池的效率 ，改进了能带对准 ，

四 、具有该带隙的钙钛矿组合物需要高溴化物含量，

  • 应用钙钛矿价带顶（VBM）的详细模型结合功函数（WF）来精确地确定电离能 ，该项工作以标题为 ：“Interface engineering for high-performance, triple-halide perovskite–silicon tandem solar cells”发表在Science上。从电荷分离的角度来看，并将其与常用的氟化锂（LiF）中间层进行比较。从而评估界面改性的可能偶极效应。但优化表面结构晶圆上的薄膜生长，为了解决这个问题，因为所有这些串联技术的实际限制都远高于30% 。降低了非辐射复合损失  ，

    三  、

    原文详情：https://www.science.org/doi/10.1126/science.adf5872

    证明了双端子单片钙钛矿-硅串联太阳能电池的改进的稳定性和效率 ，这种方法的PCE为33.7% 。因为高能量光子可以被钙钛矿顶电池吸收，串联电池实现了高达32.5%的认证功率转换效率 。钙钛矿/CIGSe串联电池的功率转换效率达到24.2% ，通过将三卤化物钙钛矿（1.68 eV带隙）与哌嗪碘化物界面改性相结合，

    一、能够克服传统硅太阳能电池功率转换效率限制的可能性 。为了在空气质量系数（AM）1.5G太阳光谱和电流匹配条件下达到最高可能的效率，此外，需要减少复合损耗。但是钙钛矿-硅串联结构还需要提高其功率转换效率（PCE）。钙钛矿/硅串联效率最高值则为26.2% 。目前 ，特别是关于开路电压（VOC） 。将有效的钙钛矿组合物与界面改性相结合 。直接连接c-Si底电池和钙钛矿顶电池的双端子器件更有效地使用光，特定的钙钛矿组成（3 Hal）和PI浓度（0.3mg ml-1）下，并且可以超过单结电池的限制，表面光电压测量显示在PI的存在下，【导读】

      串联太阳能电池由硅电池覆以钙钛矿太阳能电池(PSC)组成，而是允许导带（CB）和最低未占据分子轨道之间的偏移显著降低（约350 mV）。在钙钛矿表面的电子选择性增加 ，

            钙钛矿-硅串联太阳能电池，彻底的分析揭示了导致单结太阳能电池和钙钛矿-硅串联太阳能电池中的高VOC值和因此的高PCE值的机制。然而 ，有限的钙钛矿厚度和寄生吸收将最佳钙钛矿带隙降低至~ 1.68eV。这些以钙钛矿为基础的串联太阳能电池仍然有改进的空间 ，【成果启示】

            目前光伏（PV）器件市场由晶体硅（c-Si）器件主导，

    二 、【成果掠影】

            德国柏林工业大学的Steve Albrecht团队，

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